操作
例:
結晶の中（粒・密度・電場・バンド・電流）
粒
シリコンの結晶に不純物（ドーピング）を入れると、電子が多い n 型、正孔が多い p 型になります。この 2 つをつなぐ（PN 接合）と、境目に電子も正孔もいない層（空乏層）ができ、そこに電場が立ちます。順方向の電圧をかけると、その壁が低くなって電子と正孔が流れ込み、逆方向では壁が高く厚くなって、ほとんど流れません。NPN トランジスタでは、ごく小さなベースの電流が、その何十〜何百倍ものコレクタの電流を制御します。このページは、1 次元のドリフト拡散モデル（ポアソン方程式＋電子・正孔の連続の式）を数値で解いた結果を、粒（電子・正孔・固定されたイオン）・密度・電場・バンド図・電流で見せます。10 nm 〜 全体まで拡大でき、3D でも回せます。
電場が電子を動かす仕組みは電流の正体、コンデンサの電場はコンデンサとコイル（準備中）。部品として組み合わせるのは高度な動く回路図（ダイオード・LED・トランジスタの「中を見る」リンク）。もとのページへ